中国科学院 半导体研究所 导师倪海桥介绍
作者：科大科院考研网 发表时间：2020-03-17 来源：研招办
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倪海桥 男 博导 中国科学院半导体研究所
电子邮件： nihq@semi.ac.cn
通信地址： 北京市海淀区清华东路35甲，中国科学院半导体研究所2#116
邮政编码： 100083
部门/实验室：超晶格国家重点实验室
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
070205-凝聚态物理
070205-凝聚态物理
招生方向
半导体激光器，探测器
分子束外延，光电子器件，THz器件
分子束外延，光电子器件，THz器件
教育背景
1997-09--2002-07 新加坡国立大学 博士
1992-09--1995-07 北京航空航天大学 硕士
1988-09--1992-07 北京航空航天大学 学士
1992-09--1995-07 北京航空航天大学 硕士
1988-09--1992-07 北京航空航天大学 学士
学历
学位
工作经历
工作简历
2015-09~2016-08,中国科学院半导体研究所, 研究员
2005-09~2015-09,中国科学院半导体研究所, 副研究员
2002-09~2005-07,中国科学院半导体研究所, 博士后
1997-09~2002-07,新加坡国立大学, 博士
1992-09~1995-07,北京航空航天大学, 硕士
1988-09~1992-07,北京航空航天大学, 学士
2005-09~2015-09,中国科学院半导体研究所, 副研究员
2002-09~2005-07,中国科学院半导体研究所, 博士后
1997-09~2002-07,新加坡国立大学, 博士
1992-09~1995-07,北京航空航天大学, 硕士
1988-09~1992-07,北京航空航天大学, 学士
社会兼职
教授课程
微纳光电子材料与新型量子器件
半导体微纳结构光电子与量子器件
半导体量子光电子学导论—半导体低维结构量子光电效应及量子光子器件
半导体微纳结构光电子与量子器件
半导体量子光电子学导论—半导体低维结构量子光电效应及量子光子器件
专利与奖励
奖励信息
专利成果
（ 1 ） 多层量子点隧道结窜联的有源区带宽增益结构, 2012, 第 1 作者, 专利号: 201210333043.2
（ 2 ） 在衬底上生长异变缓冲层的方法 , 2011, 第 3 作者, 专利号: 201110121899.9
（ 3 ） 制备微透镜阵列的方法 , 2012, 第 5 作者, 专利号: 201210505204.1
（ 4 ） 低暗电流的共振隧穿二极管高灵敏度探测器, 2017, 第 2 作者, 专利号: ZL201510098629.9
（ 5 ） 硅基半导体超短脉冲激光器, 2013, 第 2 作者, 专利号: ZL201310357340.5
（ 6 ） 共振隧穿二极管近红外探测器, 2015, 第 2 作者, 专利号: ZL201510547194.1
（ 2 ） 在衬底上生长异变缓冲层的方法 , 2011, 第 3 作者, 专利号: 201110121899.9
（ 3 ） 制备微透镜阵列的方法 , 2012, 第 5 作者, 专利号: 201210505204.1
（ 4 ） 低暗电流的共振隧穿二极管高灵敏度探测器, 2017, 第 2 作者, 专利号: ZL201510098629.9
（ 5 ） 硅基半导体超短脉冲激光器, 2013, 第 2 作者, 专利号: ZL201310357340.5
（ 6 ） 共振隧穿二极管近红外探测器, 2015, 第 2 作者, 专利号: ZL201510547194.1
出版信息
发表论文
（1） 蝶形天线增强的InP基室温HEMT太赫兹探测器研究, 外与激光工程, 2019-09, 第 6 作者
（2） Effects of growth temperature and metamorphic buffer on electron mobility of InAs film grown on Si substrate by molecular beam epitaxy, 中国物理B:英文版, 2019-02, 第 3 作者
（3） Molecular beam epitaxial growth of high quality InAs/GaAs quantum dots for 1.3-μm quantum dot lasers, 中国物理B:英文版, 2019-02, 第 3 作者
（4） High performance GaSb based digital-grown InGaSb/AlGaAsSb mid-infrared lasers and bars, 中国物理B:英文版, 2019-01, 第 10 作者
（5） Temperature dependence on the electrical and physical performance of InAs/AlSb heterojunction and high electron mobility transistors, Chin. Phys. B, 2018, 第 3 作者
（6） Quantum frequency down-conversion of single photons at 1552 nm from single InAs quantum dot, Chin. Phys. B, 2018, 第 5 作者
（7） GaSb大功率激光器, High-power GaSb-based microstripe broad-area lasers, Applied Physics Express, 2018, 第 10 作者
（8） 2 μm GaSb 基大功率半导体激光器研究进展, 红外与激光工程, 2018, 第 10 作者
（9） 3~4 μm 锑化物带间级联激光器研究进展(特邀), 红外与激光工程, 2018, 第 10 作者
（10） Two-dimensional electron gas characteristics of InP-based high electron mobility transistor terahertz detector∗, Chin. Phys. B, 2018, 第 7 作者
（11） 1.3微米单光子发射, 1.3 μm single-photon emission from strain-coupled bilayer of InAs/GaAs quantum dots at the temperature up to 120 K, Appl. Phys. Lett., 2017, 第 3 作者
（12） GaAs/AlGaAs量子阱自旋各向异性, Anisotropic in-plane spin dynamics in (110)-oriented GaAs/AlGaAs multiple quantum well, Journal of Applied Physics, 2017, 第 3 作者
（13） A deterministic quantum dot micropillar single photon source with >65% extraction efciency based on fuorescence imaging method, nature，ScIEnTIfIc REPOrtS | 7: 13986 | DOI:10.1038/s41598-017-13433-w, 2017, 第 7 作者
（14） Optimization of wide band mesa-type enhanced terahertz photoconductive antenna at 1550 nm, Chin. Phys. B, 2017, 第 7 作者
（15） HEMT太赫兹探测器的二维电子气特性分析, 红外与毫米波学报, 2017, 第 6 作者
（16） Spectral dynamical behavior in two-section, quantum well, mode-locked laser at 1.064 µm, Chin. Phys. B, 2017, 第 7 作者
（17） High-Power Single-Spatial-Mode GaSb Tapered Laser around 2.0 µm with Very Small Lateral Beam Divergence ∗, CHIN. PHYS. LETT., 2017, 第 7 作者
（18） Intracavity Spontaneous Parametric Down-Conversion in Bragg Reflection Waveguide Edge Emitting Diode, CHIN. PHYS. LETT, 2017, 第 6 作者
（19） Electron spin dynamics study of bulk p-GaAs: The screening effect, Appl. Phys. Lett. , 2013, 第 3 作者
（20） High-performance metamorphic InGaAs resonant cavity enhanced photodetector grown on GaAs substrate, Appl. Phys., 2011, 第 11 作者
（21） Optically controlled quantum dot gated transistors with high on/off ratio, Appl. Phys. Lett. , 2010, 第 4 作者
（22）
（2） Effects of growth temperature and metamorphic buffer on electron mobility of InAs film grown on Si substrate by molecular beam epitaxy, 中国物理B:英文版, 2019-02, 第 3 作者
（3） Molecular beam epitaxial growth of high quality InAs/GaAs quantum dots for 1.3-μm quantum dot lasers, 中国物理B:英文版, 2019-02, 第 3 作者
（4） High performance GaSb based digital-grown InGaSb/AlGaAsSb mid-infrared lasers and bars, 中国物理B:英文版, 2019-01, 第 10 作者
（5） Temperature dependence on the electrical and physical performance of InAs/AlSb heterojunction and high electron mobility transistors, Chin. Phys. B, 2018, 第 3 作者
（6） Quantum frequency down-conversion of single photons at 1552 nm from single InAs quantum dot, Chin. Phys. B, 2018, 第 5 作者
（7） GaSb大功率激光器, High-power GaSb-based microstripe broad-area lasers, Applied Physics Express, 2018, 第 10 作者
（8） 2 μm GaSb 基大功率半导体激光器研究进展, 红外与激光工程, 2018, 第 10 作者
（9） 3~4 μm 锑化物带间级联激光器研究进展(特邀), 红外与激光工程, 2018, 第 10 作者
（10） Two-dimensional electron gas characteristics of InP-based high electron mobility transistor terahertz detector∗, Chin. Phys. B, 2018, 第 7 作者
（11） 1.3微米单光子发射, 1.3 μm single-photon emission from strain-coupled bilayer of InAs/GaAs quantum dots at the temperature up to 120 K, Appl. Phys. Lett., 2017, 第 3 作者
（12） GaAs/AlGaAs量子阱自旋各向异性, Anisotropic in-plane spin dynamics in (110)-oriented GaAs/AlGaAs multiple quantum well, Journal of Applied Physics, 2017, 第 3 作者
（13） A deterministic quantum dot micropillar single photon source with >65% extraction efciency based on fuorescence imaging method, nature，ScIEnTIfIc REPOrtS | 7: 13986 | DOI:10.1038/s41598-017-13433-w, 2017, 第 7 作者
（14） Optimization of wide band mesa-type enhanced terahertz photoconductive antenna at 1550 nm, Chin. Phys. B, 2017, 第 7 作者
（15） HEMT太赫兹探测器的二维电子气特性分析, 红外与毫米波学报, 2017, 第 6 作者
（16） Spectral dynamical behavior in two-section, quantum well, mode-locked laser at 1.064 µm, Chin. Phys. B, 2017, 第 7 作者
（17） High-Power Single-Spatial-Mode GaSb Tapered Laser around 2.0 µm with Very Small Lateral Beam Divergence ∗, CHIN. PHYS. LETT., 2017, 第 7 作者
（18） Intracavity Spontaneous Parametric Down-Conversion in Bragg Reflection Waveguide Edge Emitting Diode, CHIN. PHYS. LETT, 2017, 第 6 作者
（19） Electron spin dynamics study of bulk p-GaAs: The screening effect, Appl. Phys. Lett. , 2013, 第 3 作者
（20） High-performance metamorphic InGaAs resonant cavity enhanced photodetector grown on GaAs substrate, Appl. Phys., 2011, 第 11 作者
（21） Optically controlled quantum dot gated transistors with high on/off ratio, Appl. Phys. Lett. , 2010, 第 4 作者
（22）
发表著作
科研活动
科研项目
（ 1 ） 锑化物纳米结构中红外激光与探测器, 主持, 国家级, 2013-01--2017-12
（ 2 ） 基于半导体单量子点谐振腔耦合结构的超低功耗纳米发光管, 主持, 国家级, 2013-01--2016-12
（ 3 ） 基于Sb化物窄带量子阱的3微米波段中红外高功率激光器研究, 主持, 国家级, 2015-01--2019-12
（ 2 ） 基于半导体单量子点谐振腔耦合结构的超低功耗纳米发光管, 主持, 国家级, 2013-01--2016-12
（ 3 ） 基于Sb化物窄带量子阱的3微米波段中红外高功率激光器研究, 主持, 国家级, 2015-01--2019-12
参与会议
