中国科学院 半导体研究所 导师金鹏介绍
作者：科大科院考研网 发表时间：2019-12-15 来源：研招办
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金鹏 男 博导 半导体研究所
理学博士，研究员，博士生导师。
1992年至1996年在南开大学物理系凝聚态物理专业学习，获理学学士学位。1996年至2001年在南开大学物理学院硕博连读，师从潘士宏教授，开展半导体光电子学性质的研究，获理学博士学位。2001年至2003年在中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室进行博士后研究工作，合作导师王占国院士，从事半导体低维结构的材料生长、性质及器件的研究工作。出站后留所工作。
已先后承担国家“973”计划项目、国家重大科研装备研制项目、国家自然科学基金项目等多项。目前的研究兴趣包括低维结构半导体材料与器件、半导体金刚石材料与器件、宽禁带半导体材料物理、光谱技术与光谱仪器等。
欢迎凝聚态物理、物理学、应用物理学、材料物理与化学、半导体材料、微电子学与固体电子学、半导体光电子学、光学、光学工程等相关专业和方向的学子报考本人的硕士和博士研究生。
办公电话：010-82304563
电子邮件：pengjin@semi.ac.cn
通信地址：中国科学院半导体研究所4号科研楼210室
邮政编码：100083
部门/实验室：材料科学重点实验室
研究领域
（1）低维结构半导体材料与器件
（2）半导体金刚石材料与器件
（3）宽禁带半导体材料物理
（4）光谱技术与光谱仪器
（2）半导体金刚石材料与器件
（3）宽禁带半导体材料物理
（4）光谱技术与光谱仪器
招生信息
招生专业
080501-材料物理与化学
085208-电子与通信工程
085208-电子与通信工程
招生方向
半导体低维结构材料和量子器件，宽禁带半导体材料、器件和物理
宽禁带半导体材料、器件和物理
宽禁带半导体材料、器件和物理
教育背景
1996-09--2001-06 南开大学 理学博士学位
1992-09--1996-07 南开大学 理学学士学位
1992-09--1996-07 南开大学 理学学士学位
学历
-- 研究生
学位
-- 博士
工作经历
工作简历
2009-01--今 中国科学院半导体研究所 研究员
2003-09--2008-12 中国科学院半导体研究所 副研究员
2001-07--2003-09 中国科学院半导体研究所 博士后
2003-09--2008-12 中国科学院半导体研究所 副研究员
2001-07--2003-09 中国科学院半导体研究所 博士后
社会兼职
2015-09--今 中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会，委员
2012-01--今 中国电子学会半导体与集成技术分会，高级会员
2012-01--今 中国电子学会半导体与集成技术分会，高级会员
教授课程
专利与奖励
奖励信息
专利成果
（1） 宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法，发明，2009，第2作者，专利号：200610064883.8
（2） 宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法，发明，2009，第2作者，专利号：200610002667.0
（3） 光栅耦合表面发射的超辐射发光二极管结构，发明，2009，第2作者，专利号：200910236703.3
（4） 一种提高光栅外腔激光器光学质量的方法，发明，2009，第2作者，专利号：200910236704.8
（5） 量子点光调制器有源区结构，发明，2010，第2作者，专利号：200710175972.4
（6） 长波长砷化铟/砷化镓量子点材料，发明，2010，第2作者，专利号：200610088947.8
（7） 砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管，发明，2011，第3作者，专利号：201110041984.4
（8） 深紫外激光光致发光光谱仪，发明，2012，第1作者，专利号：201110087894.9
（9） 用于多电流注入区器件的倒装焊结构及其制作方法，发明，2011，第2作者，专利号：201110361688.2
（10） 滤波式波长可调谐外腔激光器，发明，2013，第2作者，专利号：201310071764.5
（11） 掺杂半导体材料生长设备及方法，发明，2012，第1作者，专利号：201210223493.6
（12） 一种锁模外腔半导体激光器，发明，2013，第2作者，专利号：201310121425.3
（13） 条纹相机反射式离轴光学耦合装置，发明，2012，第1作者，专利号：ZL 201110133353.5
（14） 复合构型可调谐光栅外腔双模激光器，发明，2013，第1作者，专利号：201310193627.9
（2） 宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法，发明，2009，第2作者，专利号：200610002667.0
（3） 光栅耦合表面发射的超辐射发光二极管结构，发明，2009，第2作者，专利号：200910236703.3
（4） 一种提高光栅外腔激光器光学质量的方法，发明，2009，第2作者，专利号：200910236704.8
（5） 量子点光调制器有源区结构，发明，2010，第2作者，专利号：200710175972.4
（6） 长波长砷化铟/砷化镓量子点材料，发明，2010，第2作者，专利号：200610088947.8
（7） 砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管，发明，2011，第3作者，专利号：201110041984.4
（8） 深紫外激光光致发光光谱仪，发明，2012，第1作者，专利号：201110087894.9
（9） 用于多电流注入区器件的倒装焊结构及其制作方法，发明，2011，第2作者，专利号：201110361688.2
（10） 滤波式波长可调谐外腔激光器，发明，2013，第2作者，专利号：201310071764.5
（11） 掺杂半导体材料生长设备及方法，发明，2012，第1作者，专利号：201210223493.6
（12） 一种锁模外腔半导体激光器，发明，2013，第2作者，专利号：201310121425.3
（13） 条纹相机反射式离轴光学耦合装置，发明，2012，第1作者，专利号：ZL 201110133353.5
（14） 复合构型可调谐光栅外腔双模激光器，发明，2013，第1作者，专利号：201310193627.9
出版信息
发表论文
（1） Self-assembly of InAs quantum dots on GaAs(001) by molecular beam epitaxy，Front. Phys，2015，第2作者
（2） Effects of interface roughness on photoluminescence full width at half maximum in GaN/AlGaN quantum wells，Chin. Phys. B，2014，第3作者
（3） Effect of high-temperature annealing on AlN thin film grown by metalorganic chemical vapor deposition，Chin. Phys. B，2014，通讯作者
（4） A mode-locked external-cavity quantum-dot laser with a variable repetition rate，Chin. Phys. B，2013，通讯作者
（5） A grating-coupled external cavity InAs/InP quantum dot laser with 85-nm tuning range，Chin. Phys. B，2013，通讯作者
（6） Broadband Light Emission from Chirped Multiple InAs Quantum Dot Structure，Chin. Phys. Lett.，2013，通讯作者
（7） InAs/GaAs submonolayer quantum-dot superluminescent diodes by using with active multimode interferometer configuration，Chin. Phys. B，2013，通讯作者
（8） InAs/GaAs submonolayer quantum dot superluminescent diode emitting around 970 nm，Chin. Phys. B，2012，通讯作者
（9） Experimental investigation of Wavelength-Selective Optical Feedback for A High-power Quantum Dot Superluminescent Device with Two-Section Structure，Optics Express，2012，通讯作者
（10） Broadband Light-Emitting from Multilayer-stacked InAs/GaAs Quantum Dots，Chin. Phys. B，2012，通讯作者
（11） Improved Continuous-Wave Performance of Two-Section Quantum-Dot Superluminescent Diodes by Using Epi-Side-Down Mounting Process，IEEE Photonics Technology Letters，2012，通讯作者
（12） The Effect of Double-Pass Gain on The Performances of A Quantum-Dot Superluminescent Diode Integrated with A Semiconductor Optical Amplifier，Journal of Lightwave Technology，2012，通讯作者
（13） Optical loss in bent-waveguide superluminescent diodes，Semicond. Sci. Technol.，2012，通讯作者
（14） Short- wavelength InAlGaAs/AlGaAs quantum dot superluminescent diodes，Chin. Phys. B，2011，通讯作者
（15） Broadband tunable external cavity laser with a bent-waveguide quantum-dot superluminescent diode gain device，Chin. Phys. B，2011，通讯作者
（16） A High-Performance Quantum-Dot Superluminescent Diode with Two-section Structure，Nanoscale Research Letters，2011，通讯作者
（17） Theoretical investigation of a surface-emitting superluminescent diode with a circular grating，Semicond. Sci. Technol.，2011，第3作者
（18） High power quantum dot superluminescent diode with an integrated optical amplifier section，Electronics Letters，2011，通讯作者
（19） Broadband external cavity tunable quantum dot lasers with low injection current density，Optics Express，2010，第2作者
（20） Structure and properties of InAs/AlAs quantum dots for broadband emission，J. Appl. Phys.，2010，第2作者
（21） A Broadband external cavity tunable InAs/GaAs quantum dot laser only by utilizing the ground state emission，Chin. Phys. B，2010，通讯作者
（22） 超辐射发光管的应用，Applications of Superluminescent Diodes，红外技术，2010，第3作者
（23） 薄膜和量子点的外延生长，Epitaxial Growth of a Thin Film and Quantum Dots，微纳电子技术，2010，第2作者
（24） Broadly Tunable Grating-coupled External Cavity Laser with Quantum Dot Active Region，IEEE Photonics Technology Letters，2010，第2作者
（2） Effects of interface roughness on photoluminescence full width at half maximum in GaN/AlGaN quantum wells，Chin. Phys. B，2014，第3作者
（3） Effect of high-temperature annealing on AlN thin film grown by metalorganic chemical vapor deposition，Chin. Phys. B，2014，通讯作者
（4） A mode-locked external-cavity quantum-dot laser with a variable repetition rate，Chin. Phys. B，2013，通讯作者
（5） A grating-coupled external cavity InAs/InP quantum dot laser with 85-nm tuning range，Chin. Phys. B，2013，通讯作者
（6） Broadband Light Emission from Chirped Multiple InAs Quantum Dot Structure，Chin. Phys. Lett.，2013，通讯作者
（7） InAs/GaAs submonolayer quantum-dot superluminescent diodes by using with active multimode interferometer configuration，Chin. Phys. B，2013，通讯作者
（8） InAs/GaAs submonolayer quantum dot superluminescent diode emitting around 970 nm，Chin. Phys. B，2012，通讯作者
（9） Experimental investigation of Wavelength-Selective Optical Feedback for A High-power Quantum Dot Superluminescent Device with Two-Section Structure，Optics Express，2012，通讯作者
（10） Broadband Light-Emitting from Multilayer-stacked InAs/GaAs Quantum Dots，Chin. Phys. B，2012，通讯作者
（11） Improved Continuous-Wave Performance of Two-Section Quantum-Dot Superluminescent Diodes by Using Epi-Side-Down Mounting Process，IEEE Photonics Technology Letters，2012，通讯作者
（12） The Effect of Double-Pass Gain on The Performances of A Quantum-Dot Superluminescent Diode Integrated with A Semiconductor Optical Amplifier，Journal of Lightwave Technology，2012，通讯作者
（13） Optical loss in bent-waveguide superluminescent diodes，Semicond. Sci. Technol.，2012，通讯作者
（14） Short- wavelength InAlGaAs/AlGaAs quantum dot superluminescent diodes，Chin. Phys. B，2011，通讯作者
（15） Broadband tunable external cavity laser with a bent-waveguide quantum-dot superluminescent diode gain device，Chin. Phys. B，2011，通讯作者
（16） A High-Performance Quantum-Dot Superluminescent Diode with Two-section Structure，Nanoscale Research Letters，2011，通讯作者
（17） Theoretical investigation of a surface-emitting superluminescent diode with a circular grating，Semicond. Sci. Technol.，2011，第3作者
（18） High power quantum dot superluminescent diode with an integrated optical amplifier section，Electronics Letters，2011，通讯作者
（19） Broadband external cavity tunable quantum dot lasers with low injection current density，Optics Express，2010，第2作者
（20） Structure and properties of InAs/AlAs quantum dots for broadband emission，J. Appl. Phys.，2010，第2作者
（21） A Broadband external cavity tunable InAs/GaAs quantum dot laser only by utilizing the ground state emission，Chin. Phys. B，2010，通讯作者
（22） 超辐射发光管的应用，Applications of Superluminescent Diodes，红外技术，2010，第3作者
（23） 薄膜和量子点的外延生长，Epitaxial Growth of a Thin Film and Quantum Dots，微纳电子技术，2010，第2作者
（24） Broadly Tunable Grating-coupled External Cavity Laser with Quantum Dot Active Region，IEEE Photonics Technology Letters，2010，第2作者
发表著作
（1） 第五章 III-V族化合物半导体材料”，《半导体材料研究进展》第一卷，pp.235-310，Chapter 5 III-V Compound Semiconductor Materials, in Research Progress of Semiconductor Materials, Volume 1, pp.235-310，高等教育出版社，2012-01，第1作者
科研活动
科研项目
（1） 半导体金刚石衬底材料研制，主持，市地级，2015-10--2017-09
（2） 微波等离子体化学汽相沉积系统，主持，院级级，2015-01--2016-07
（3） 量子器件集成控温技术研究，主持，专项级，2014-12--2015-12
（4） 100kHz 窄线宽激光光源(子课题)，主持，国家级，2014-01--2016-12
（5） 微小型碱金属样品池，主持，其他级，2013-10--2014-07
（6） 波长和重复频率可调谐外腔锁模量子点激光器，主持，国家级，2013-01--2016-12
（7） 全组分可调III族氮化物半导体材料和器件物理（子课题），主持，国家级，2011-09--2016-08
（2） 微波等离子体化学汽相沉积系统，主持，院级级，2015-01--2016-07
（3） 量子器件集成控温技术研究，主持，专项级，2014-12--2015-12
（4） 100kHz 窄线宽激光光源(子课题)，主持，国家级，2014-01--2016-12
（5） 微小型碱金属样品池，主持，其他级，2013-10--2014-07
（6） 波长和重复频率可调谐外腔锁模量子点激光器，主持，国家级，2013-01--2016-12
（7） 全组分可调III族氮化物半导体材料和器件物理（子课题），主持，国家级，2011-09--2016-08
