中国科学院物理研究所 贾海强 男 博导
作者：科大科院考研网 发表时间：2019-12-12 来源：研招办
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研究领域
招生信息
招生专业
070205-凝聚态物理
080501-材料物理与化学
080501-材料物理与化学
招生方向
GaAs基、GaN基光电子/光伏材料MOCVD外延生长与器件技术研究
新型光电子/光伏器件工艺研究
新型光电子/光伏器件工艺研究
教育背景
1998-09--2001-06 中科院物理研究所 博士
1991-09--1994-01 电子部第十三研究所 硕士
1987-09--1991-06 西安交通大学 学士
1991-09--1994-01 电子部第十三研究所 硕士
1987-09--1991-06 西安交通大学 学士
学历
学位
工作经历
工作简历
2001-07~现在, 中科院物理所, 助研/副研/研究员
1998-09~2001-06,中科院物理研究所, 博士
1994-02~1998-08,电子部第十三研究所, 工程师
1991-09~1994-01,电子部第十三研究所, 硕士
1987-09~1991-06,西安交通大学, 学士
1998-09~2001-06,中科院物理研究所, 博士
1994-02~1998-08,电子部第十三研究所, 工程师
1991-09~1994-01,电子部第十三研究所, 硕士
1987-09~1991-06,西安交通大学, 学士
社会兼职
教授课程
专利与奖励
奖励信息
（1） GaN基蓝绿光LED的关键技术及产业化, 二等奖, 国家级, 2011
专利成果
（ 1 ） 桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: 200510011812
（ 2 ） 低极化效应的氮化镓基发光二极管芯片用外延材料及制法, 2009, 第 2 作者, 专利号: 200610089289
（ 3 ） 一种发光二极管外延结构, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN201310043789.4
（ 4 ） 一种发光二极管外延材料结构, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN201210120680.1
（ 5 ） 一种具有隔离层的复合衬底及其制造方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN201310286462.X
（ 6 ） 高亮度发光二极管及制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: 201210452575.8
（ 7 ） 带有高反射率金属反射层的红光发光二极管及制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: 201210452581.3
（ 8 ） 量子阱结构、发光二极管外延结构及发光二极管, 2014, 第 2 作者, 专利号: 201410282794.5
（ 9 ） 在特定的蓝宝石图形衬底上制备高质量GaN基材料的方法, 2004, 第 2 作者, 专利号: CN200410058574.0
（ 10 ） 一种湿法腐蚀蓝宝石图形衬底的方法, 2004, 第 3 作者, 专利号: CN200410038260.4
（ 11 ） 基于量子阱带间跃迁的光电探测器, 2015, 第 3 作者, 专利号: 201510404231.3
（ 12 ） 用于薄膜生长的双模系统及其控制方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN201210414939.3
（ 13 ） 用于薄膜生长的双模系统及其控制方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN201210414939.3
（ 14 ） 一种具有隔离层的复合衬底及其制造方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: 201310201293.5
（ 15 ） 一种基于中间能带的InSb量子点多色红外探测器, 2012, 第 4 作者, 专利号: 201210290330.X
（ 16 ） 半导体器件及其制备方法和应用, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201410553114.9
（ 17 ） 半导体器件及其制备方法和应用, 2014, 第 2 作者, 专利号: 201410553135.0
（ 2 ） 低极化效应的氮化镓基发光二极管芯片用外延材料及制法, 2009, 第 2 作者, 专利号: 200610089289
（ 3 ） 一种发光二极管外延结构, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN201310043789.4
（ 4 ） 一种发光二极管外延材料结构, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN201210120680.1
（ 5 ） 一种具有隔离层的复合衬底及其制造方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN201310286462.X
（ 6 ） 高亮度发光二极管及制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: 201210452575.8
（ 7 ） 带有高反射率金属反射层的红光发光二极管及制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: 201210452581.3
（ 8 ） 量子阱结构、发光二极管外延结构及发光二极管, 2014, 第 2 作者, 专利号: 201410282794.5
（ 9 ） 在特定的蓝宝石图形衬底上制备高质量GaN基材料的方法, 2004, 第 2 作者, 专利号: CN200410058574.0
（ 10 ） 一种湿法腐蚀蓝宝石图形衬底的方法, 2004, 第 3 作者, 专利号: CN200410038260.4
（ 11 ） 基于量子阱带间跃迁的光电探测器, 2015, 第 3 作者, 专利号: 201510404231.3
（ 12 ） 用于薄膜生长的双模系统及其控制方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN201210414939.3
（ 13 ） 用于薄膜生长的双模系统及其控制方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN201210414939.3
（ 14 ） 一种具有隔离层的复合衬底及其制造方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: 201310201293.5
（ 15 ） 一种基于中间能带的InSb量子点多色红外探测器, 2012, 第 4 作者, 专利号: 201210290330.X
（ 16 ） 半导体器件及其制备方法和应用, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201410553114.9
（ 17 ） 半导体器件及其制备方法和应用, 2014, 第 2 作者, 专利号: 201410553135.0
出版信息
发表论文
（1） Recent progress of GaN growth on maskless chemical-etched grooved sapphire substrate, Energy & Environmental Science, 2011, 第 2 作者
（2） Control performance of a single-chip white light emitting diode by adjusting strain in InGaN underlying layer, Applied Physics Letters, 2009, 第 3 作者
（3） Recent Progress in GaN-Based Light-Emitting Diodes, ADVANCED MATERIALS, 2009, 第 1 作者
（4） White light-emitting diodes based on a single InGaN emission layer, Applied Physics Letters, 2007, 第 2 作者
（2） Control performance of a single-chip white light emitting diode by adjusting strain in InGaN underlying layer, Applied Physics Letters, 2009, 第 3 作者
（3） Recent Progress in GaN-Based Light-Emitting Diodes, ADVANCED MATERIALS, 2009, 第 1 作者
（4） White light-emitting diodes based on a single InGaN emission layer, Applied Physics Letters, 2007, 第 2 作者
发表著作
科研活动
科研项目
（ 1 ） 高效半导体照明关键材料技术研发, 主持, 国家级, 2011-01--2013-12
（ 2 ） 单芯片白光LED的发光机理研究, 主持, 国家级, 2009-01--2011-12
（ 3 ） GaAs／InGaP双结薄膜太阳能电池工艺开发, 主持, 省级, 2015-07--2017-08
（ 2 ） 单芯片白光LED的发光机理研究, 主持, 国家级, 2009-01--2011-12
（ 3 ） GaAs／InGaP双结薄膜太阳能电池工艺开发, 主持, 省级, 2015-07--2017-08
参与会议
合作情况
项目协作单位
指导学生
