080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程

半导体材料与器件，可调谐激光器
硅基光电子
外腔可调半导体谐激光器

1993-09--1998-12   中国科学院半导体研究所   工学博士
1989-09--1993-06   北京师范大学   物理学学士

   

   

   

2004-07~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 研究员
2001-02~2004-06,荷兰Eindhoven技术大学, 博士后
1999-01~2001-02,德国Paul-Drude研究所, 博士后
1993-09~1998-12,中国科学院半导体研究所, 工学博士
1989-09~1993-06,北京师范大学, 物理学学士

   

   

   

（1） 2017年度山东省高等学校科学技术奖, 一等奖, 省级, 2017

（ 1 ） 束源炉中源材料熔化时对应热偶温度的测量方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: ZL 2008 1 0035445.2
（ 2 ） 原位测量源炉中源材料质量的方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: ZL 2008 1 0035437.3
（ 3 ） 一种制备石墨烯的方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: ZL201210120753.7
（ 4 ） 一种硅基砷化镓复合衬底的制备方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: 201610153371.2
（ 5 ） GaAs分子束外延生长过程中As原子最高结合率的测量方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201610171321.7
（ 6 ） 一种外腔激光器及其调谐方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201810503699.1

   

（1） External cavity lasers using stripe mirrors with different mirror width, Journal of Modern Optics, 2017, 第 11 作者
（2） Annealing effect of the InAs dot-in-well structure grown by MBE, J. Cryst. Growth, 2017, 第 11 作者
（3） Relative intensity noise of InAs quantum dot lasers epitaxially grown on Ge, Opt. Express, 2017, 第 5 作者
（4） InP-based pseudomorphic InAs/InGaAs triangular quantum well lasers with bismuth surfactant, Appl. Opt., 2017, 第 6 作者
（5） Facile synthesis of highly graphitized nitrogen-doped carbon dots and carbon sheets with solid-state white-light emission, Materials letters, 2017, 第 7 作者
（6） Electronic states in low-dimensional nano-structures: Comparison between the variational and plane wave basis method, Superlattices and Microstructures, 2017, 第 3 作者
（7） Heteroepitaxy growth of GaAsBi on Ge(100) substrates by gas source molecular beam epitaxy, Applied Physics Express, 2016, 第 11 作者
（8） Detailed study of the influence of InGaAs matrix on the strain reduction in the InAs dot-in-well structure, Nanoscale Research Letters, 2016, 第 11 作者
（9） Influence of GaAsBi Matrix on Optical and Structural Properties of InAs Quantum Dots, Nanoscale Research Letters, 2016, 第 11 作者
（10） Influence of doping in InP buffer on photoluminescence behavior of InPBi, Jpn. J. Appl. Phys., 2016, 第 11 作者
（11） Growth and material properties of InPBi thin films using gas source molecular beam epitaxy, Journal of Alloys and Compounds, 2016, 第 8 作者
（12） Wavelength tuning of InAs quantum dot laser by micromirror device, Journal of Crystal Growth, 2015, 第 11 作者
（13） Highly luminescence carbon nanoparticles as yellow emission conversion phosphors, Materials Letters, 2015, 第 3 作者
（14） A facile and transfer-free path for template-less synthesis of carbon nanosheets, Materials Letters, 2015, 第 3 作者
（15） Junction-temperature Measurement in InAs/InP (100) Quantum-Dot Lasers, Chinese Physics Letters, 2015, 第 2 作者
（16） Analysis of mode-hop free tuning of folded cavity grating feedback lasers, Applied Optics, 2015, 第 11 作者
（17） A novel method to measure the internal quantum efficiency and optical loss of laser diodes, Photonics Technology Letters, 2015, 第 11 作者
（18） A wireless remote high-power laser device for optogenetics experiments, Laser Physics, 2015, 第 11 作者
（19） A novel semiconductor compatible path for nano-graphene synthesis using CBr4 precursor and Ga catalyst, Scientific Reports, 2014, 第 11 作者
（20） Template-less synthesis of hollow carbon nanospheres for white light-emitting diodes, Material Letters, 2014, 第 3 作者
（21） Mobility enhancement in tensile-strained Ge grown on InAlP metamorphic templates, Applied Surface Science, 2014, 第 2 作者
（22） High intensity single-mode peak observed in the lasing spectrum of InAs/GaAs quantum dot laser, Chin. Phys. Lett., 2013, 第 11 作者
（23） Temperature dependent lasing characteristics of InAs/InP(100) quantum dot laser, Materials Science in Semiconductor Processing, 2012, 第 2 作者
（24） Optical investigation of InAs/InP(100) quantum dots grown by gas source molecular beam epitaxy, Infrared Physics and Technology, 2012, 第 2 作者
（25） Morphology and shape dependent characteristics of InAs/InP(100) quantum dot lasers grown by gas source molecular beam epitaxy, Physica E, 2012, 第 2 作者
（26） Measurements of I-V characteristic in InAs/InP quantum dot laser diode, Journal of Modern Optics, 2012, 第 2 作者
（27） Low-temperature characteristics of two-color InAs/InP quantum dots laser, Chin. Phys. Lett., 2012, 第 2 作者
（28） Quantum dot lasers grown by gas-source molecular-beam epitaxy, J. Cryst. Growth, 2011, 第 11 作者
（29） High performance external cavity InAs/InP quantum dot lasers, Appl. Phys. Lett., 2011, 第 11 作者
（30） InAs/GaAs qunatum dot lasers grown by gas-source molecular-beam epiatxy, J. Cryst. Growth, 2010, 第 11 作者
（31） InAs/InP(100) quantum dot laser with high wavelength stability, Electron. Lett., 2010, 第 11 作者
（32） Two-color quantum dot laser with tunable wavelength gap, Appl. Phys. Lett., 2009, 第 11 作者
（33） Growth of InAs/GaSb type-II superlattices by gas-source molecular-beam epitaxy, J. Cryst. Growth, 2009, 第 11 作者
（34） Room temperature continuous-wave operation of InAs/InP(100) quantum dot lasers grown by gas-source molecular-beam epitaxy, Appl. Phys. Lett., 2008, 第 11 作者

   

   

（ 1 ） 微纳系统材料、制造与器件物理, 参与, 国家级, 2011-01--2013-12
（ 2 ） 量子通信网络和量子仿真关键器件的物理实现, 参与, 国家级, 2011-01--2015-12
（ 3 ） 1.5-1.7微米波段宽调谐InAs/InP量子点外腔激光器, 主持, 国家级, 2012-01--2015-12
（ 4 ） 张应变Ge的外延研究, 参与, 市地级, 2011-08--2014-08
（ 5 ） 红外量子级联激光材料和探测材料基础研究, 参与, 国家级, 2013-01--2017-12
（ 6 ） 微纳系统材料、制造与器件物理, 参与, 国家级, 2014-01--2016-12
（ 7 ） 大规模光子集成芯片, 参与, 部委级, 2016-07--2021-07
（ 8 ） 片上量子点激光器外延技术研究, 主持, 省级, 2017-01--2021-12