中国科学院宁波材料技术与工程研究所导师曹鸿涛介绍
作者：科大科院考研网 发表时间：2019-09-29 来源：研招办
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导师介绍：
研究领域
研究领域：新型氧化物半导体薄膜(高迁移率n型和新型高丰度p型)，氧化物高κ介电薄膜，氧化物薄膜晶体管和氧化物逻辑电路；能量转换薄膜及换能、节能薄膜及器件。
招生信息
硕士生：每年1-2名；
博士生(含硕博连读)：每年1-2名。
博士生(含硕博连读)：每年1-2名。
招生专业
080501-材料物理与化学
招生方向
功能材料与纳米器件
教育背景
2001-02--2004-06 中科院金属研究所 博士
1998-09--2001-02 东北大学 硕士
1994-09--1998-06 东北大学 学士
1998-09--2001-02 东北大学 硕士
1994-09--1998-06 东北大学 学士
学历
-- 研究生
学位
-- 博士
出国学习工作
工作经历
2007年3月----至今，中科院宁波材料技术与工程研究所，研究员，博士生导师。
工作简历
2004-07--2007-02 瑞典皇家理工学院 博士后助理研究员
社会兼职
教授课程
半导体氧化物薄膜晶体管基础知识、 能级与声子
专利与奖励
奖励信息
专利成果
（1） 一种氧化亚锡多晶薄膜的二步制备法，发明，2009，第1作者，专利号：200910152532.6
（2） 一种p型氧化亚锡沟道薄膜晶体管的制备方法，发明，2010，第1作者，专利号：201010040097.0
（3） 一种智能调光玻璃，发明，2010，第2作者，专利号：201010143516.3
（4） 一种氧化钨纳米片的制备方法，发明，2010，第2作者，专利号：201010143517.8
（5） 一种中高温红外发射率测试装置，发明，2013，第2作者，专利号：201210296858.8
（6） 一种宽光谱太阳能吸收涂层及其制备方法，发明，2013，第2作者，专利号：201210093256.2
（7） 一种钇铝氧复合氧化物高k介质薄膜晶体管的制备方法，发明，2013，第2作者，专利号：201110056308.4
（8） 一种中低温太阳能选择吸收薄膜及其制备方法，发明，2013，第2作者，专利号：201210098042.4
（9） 一种中高温红外发射率测试装置，实用新型，2013，第2作者，专利号：201220413397.3
（10） 双极性薄膜晶体管及其制备方法，发明，2015，第2作者，专利号：CN201410376451，无
（11） 一种电致变色器件及其制备方法，发明，2015，第1作者，专利号：CN201410336265，无
（12） 一种贵金属陶瓷薄膜及其制备方法，发明，2015，第2作者，专利号：CN201310486551，无
（13） 一种氮化锌锡多晶薄膜的制备方法，发明，2015，第2作者，专利号：CN201410379727，无
（14） pn结及其制备方法，发明，2015，第3作者，专利号：CN201410852975，无
（15） 电致变色器件及其制备方法和应用，发明，2015，第2作者，专利号：CN201410826306，无
（16） 一种生物神经突触仿生电子器件的制备方法及其产品，发明，2015，第3作者，专利号：CN201410687913，无
（17） 耐高温金属陶瓷太阳能选择性吸收涂层及制备方法，发明，2015，第1作者，专利号：CN201310479374，无
（2） 一种p型氧化亚锡沟道薄膜晶体管的制备方法，发明，2010，第1作者，专利号：201010040097.0
（3） 一种智能调光玻璃，发明，2010，第2作者，专利号：201010143516.3
（4） 一种氧化钨纳米片的制备方法，发明，2010，第2作者，专利号：201010143517.8
（5） 一种中高温红外发射率测试装置，发明，2013，第2作者，专利号：201210296858.8
（6） 一种宽光谱太阳能吸收涂层及其制备方法，发明，2013，第2作者，专利号：201210093256.2
（7） 一种钇铝氧复合氧化物高k介质薄膜晶体管的制备方法，发明，2013，第2作者，专利号：201110056308.4
（8） 一种中低温太阳能选择吸收薄膜及其制备方法，发明，2013，第2作者，专利号：201210098042.4
（9） 一种中高温红外发射率测试装置，实用新型，2013，第2作者，专利号：201220413397.3
（10） 双极性薄膜晶体管及其制备方法，发明，2015，第2作者，专利号：CN201410376451，无
（11） 一种电致变色器件及其制备方法，发明，2015，第1作者，专利号：CN201410336265，无
（12） 一种贵金属陶瓷薄膜及其制备方法，发明，2015，第2作者，专利号：CN201310486551，无
（13） 一种氮化锌锡多晶薄膜的制备方法，发明，2015，第2作者，专利号：CN201410379727，无
（14） pn结及其制备方法，发明，2015，第3作者，专利号：CN201410852975，无
（15） 电致变色器件及其制备方法和应用，发明，2015，第2作者，专利号：CN201410826306，无
（16） 一种生物神经突触仿生电子器件的制备方法及其产品，发明，2015，第3作者，专利号：CN201410687913，无
（17） 耐高温金属陶瓷太阳能选择性吸收涂层及制备方法，发明，2015，第1作者，专利号：CN201310479374，无
出版信息
发表论文
（1） SnO 织构取向跟拉曼特征峰的指纹关系特性，Tunable crystallographic grain orientation and Raman fingerprints of polycrystalline SnO thin films，JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C，2015，通讯作者
（2） 中频磁控溅射法制备定向生长的Si 纳米棒阵列，Directional growth of nanocrystalline Si nanorod array by mid-frequency magnetron sputtering，PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE，2015，通讯作者
（3） SnOx薄膜的超快载流子响应，Ultrafast carrier dynamics in SnOx thin films，APPLIED PHYSICS LETTERS，2015，第3作者
（4） 互补式氧化物反相器的背沟道表面钝化效应，Control of ambipolar transport in SnO thin film transistors by back channel surface passivation for high performance complementary-like inverters，ACS Applied materials and interfaces，2015，通讯作者
（5） ZnSnN2基本光学常数研究，Determination of the basic optical parameters of ZnSnN2，OPTICS LETTERS，2015，第2作者
（6） 合金粒子弥散分布的氧化铝金属陶瓷薄膜研究，Alloyed nanoparticle-embedded alumina nanocermet film: A new attempt to improve the thermotolerance，APPLIED SURFACE SCIENCE，2015，通讯作者
（7） SnO/Si pn 结的基本物理参数特性研究，Determination of some basic physical parameters of SnO based on SnO/Si pn heterojunctions，APPLIED PHYSICS LETTERS，2015，通讯作者
（8） 衬底偏压对生长在ITO衬底上氧化铝介电薄膜的物理特性影响，Substrate Biasing Effect on the Physical Properties of Reactive RF-Magnetron-Sputtered Aluminum Oxide Dielectric Films on ITO Glasses，ACS Applied materials and interfaces，2014，通讯作者
（9） 合金粒子氧化铝金属陶瓷薄膜的热稳定性研究，Silver Nanoparticles with an Armor Layer Embedded in the Alumina Matrix To Form Nanocermet Thin Films with Sound Thermal Stability，ACS Applied materials and interfaces，2014，通讯作者
（10） CrNxOy光谱选择性涂层的热稳定性研究，Thermal aging characteristics of CrNxOy solar selective absorber coating for flat plate solar thermal collector applications， Solar Energy Materials and Solar Cells，2013，通讯作者
（11） InZnO薄膜晶体管稳定性研究，Anomalous bias-stress-induced unstable phenomena of InZnO thin-film transistors using Ta2O5 gate dielectric，Journal of Physics D: Applied Physics，2012，通讯作者
（12） SnOx薄膜性能演化规律研究，Structural, chemical, optical, and electrical evolution of SnOx films deposited by reactive rf magnetron sputtering，ACS Applied Materials and Interfaces，2012，通讯作者
（13） Y掺杂SnO的P型薄膜晶体管研究，The structural, optical and electrical properties of Y-doped SnO thin films and their p-type TFT applications，Journal of Physics D: Applied Physics，2012，通讯作者
（14） Ta2O5 介电薄膜物性研究，Influence of the substrate bias voltage on the physical properties of DC reactive sputtered Ta2O5 films，Journal of Alloys and Compounds，2012，通讯作者
（15） SnO 双极性薄膜晶体管，Ambipolar inverters using SnO thin-flim transistors with balanced electron and hole mobilities，Applied Physics Letters，2012，通讯作者
（16） 直流脉冲反应溅射制备的N掺杂的氧化物薄膜的电致变色性能，Electrochromic properties of N-doped Tungsten oxide thin films prepared by reactive DC-pulsed sputtering，Thin Solid Films，2011，第3作者
（17） Y2O3/Al2O3双层介电薄膜的应用对a-IZO薄膜晶体管的性能的提高，Enhancement of a-IZO TTFT performance by using Y2O3/Al2O3 bilayer dielectrics，Electrochemical and Solid-State Letters，2011，通讯作者
（18） 磁控溅射制备的YON薄膜的结构、电学性能及其薄膜晶体管应用，Structural and electrical characteristics of RF sputtered YON gate dielectrics and their thin-film transistor applications，Journal of Physics D: Applied Physics，2011，通讯作者
（19） 溅射气压和金属后退火对Y2O3薄膜物性的影响，Effects of sputtering pressure and post-metallization annealing on the physical properties of rf-sputtered Y2O3 films，Journal of Alloys and Compounds，2011，通讯作者
（20） Fe元素注入的BaTiO3薄膜的磁性、铁电性以及电磁耦合特性，Magnetic, ferroelectric and magentoelectric coupling properties of Fe-implanted BaTiO3 films，Thin Solid Films，2011，第5作者
（21） 退火处理的SNO薄膜的相结构、光学性能及其P型薄膜晶体管的应用，Phase and optical characterization of annealed SnO thin films and their p-type TFT application，Journal of The Electrochemical Society，2010，通讯作者
（22） SNO薄膜表面Al2O3 盖层应用对相结构稳定性和光学常数的影响，Improvement of Phase Stability and Accurate Determination of Optical Constants of SnO Thin Films by using Al2O3 Capping layer，ACS Applied Materials and Interfaces ，2010，通讯作者
（23） In-Zn-O 沟道半导体薄膜厚度对薄膜晶体管性能的影响，Influence of the channel layer thickness on electrical properties of indium zinc oxide thin-film transistor，Microelectronic Engineering，2010，通讯作者
（24） 化学浴沉积法制备的氧化锌纳米棒微米棒的竞争生长，The competition growth of ZnO microrods and nanorods in Chemical Bath Deposition process，Materials Research Bulletin，2010，通讯作者
（25） 脉冲反应溅射法制备的氧化钨薄膜致密度对电致变色性能的影响，Effect of film density on electrochromic tungsten oxide thin films deposited by reactive dc-pulsed magnetron sputtering，Journal of Alloys and Compounds ，2010，第3作者
（26） 基于Y2O3/In2O3的低界面态、高性能全透明薄膜晶体管，High-performance transparent thin-film transitor based on Y2O3/In2O3 with low interface traps，Applied Physics Letters，2010，通讯作者
（27） In2O3沟道半导体的致密化和表面型模对提高晶体管电学性能的影响，Enhancement of electrical performance in In2O3 thin-film transistors by improving the densification and surface morphology of channel layers，Solid-state Electronics，2010，通讯作者
（28） 两步法制备的SNO薄膜的微观结构、光学和电学性能研究，Microstructure, optical, and electrical properties of SnO thin films prepared on quartz via a two step method，ACS Applied Materials and Interfaces，2010，通讯作者
（29） 水热法制备氧化锌纳米棒和薄膜的取向，Controlled c-oriented ZnO nanorod arrays and m-plane ZnO thin film growth on Si substrate by a hydrothermal method，Journal of Crystal Growth，2010，通讯作者
（30） 溶胶凝胶法制备的MoO3-WO3 薄膜的光学和电致变色性能研究，Optical and electrochromic properties of sol-gel deposited mixed MoO3-WO3 thin films，Advanced Materials Research ，2009，第4作者
（31） 退火温度对溶胶凝胶法制备的氧化钨薄膜的微观结构和光学性能的影响，Influence of annealing temperature on microstructure and optical properties of sol-gel derived tungsten oxide films，Applied Surface Science，2009，第2作者
（32） V, Cr, Ti掺杂的In2O3薄膜的室温铁磁性能，Room temperature ferromagnetism in TM (V, Cr, Ti) doped In2O3，Journal of Applied Physics，2007，第2作者
（33） ZnO: (Al, Mn)透明导电薄膜的制备和表征，Preparation and characterization of Al and Mn doped ZnO (ZnO: (Al, Mn)) transparent conducting oxide films，Journal of Solid State Chemistry，2004，第1作者
（34） ZnO: Al透明导电薄膜的性能及其在OLED中的应用，Properties of transparent conducting ZnO: Al (ZAO) oxide thin films and its application for molecular organic light-emitting diodes (OLEDs)，Journal of Materials Science: Materials in Electronics，2004，第1作者
（35） 直流反应磁控溅射法制备的Al 和 Mn 掺杂的ZnO透明导电薄膜，Transparent conductive Al and Mn doped ZnO thin films prepared by DC reactive magnetron sputtering，Surface and Coatings Technology，2004，第1作者
（2） 中频磁控溅射法制备定向生长的Si 纳米棒阵列，Directional growth of nanocrystalline Si nanorod array by mid-frequency magnetron sputtering，PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE，2015，通讯作者
（3） SnOx薄膜的超快载流子响应，Ultrafast carrier dynamics in SnOx thin films，APPLIED PHYSICS LETTERS，2015，第3作者
（4） 互补式氧化物反相器的背沟道表面钝化效应，Control of ambipolar transport in SnO thin film transistors by back channel surface passivation for high performance complementary-like inverters，ACS Applied materials and interfaces，2015，通讯作者
（5） ZnSnN2基本光学常数研究，Determination of the basic optical parameters of ZnSnN2，OPTICS LETTERS，2015，第2作者
（6） 合金粒子弥散分布的氧化铝金属陶瓷薄膜研究，Alloyed nanoparticle-embedded alumina nanocermet film: A new attempt to improve the thermotolerance，APPLIED SURFACE SCIENCE，2015，通讯作者
（7） SnO/Si pn 结的基本物理参数特性研究，Determination of some basic physical parameters of SnO based on SnO/Si pn heterojunctions，APPLIED PHYSICS LETTERS，2015，通讯作者
（8） 衬底偏压对生长在ITO衬底上氧化铝介电薄膜的物理特性影响，Substrate Biasing Effect on the Physical Properties of Reactive RF-Magnetron-Sputtered Aluminum Oxide Dielectric Films on ITO Glasses，ACS Applied materials and interfaces，2014，通讯作者
（9） 合金粒子氧化铝金属陶瓷薄膜的热稳定性研究，Silver Nanoparticles with an Armor Layer Embedded in the Alumina Matrix To Form Nanocermet Thin Films with Sound Thermal Stability，ACS Applied materials and interfaces，2014，通讯作者
（10） CrNxOy光谱选择性涂层的热稳定性研究，Thermal aging characteristics of CrNxOy solar selective absorber coating for flat plate solar thermal collector applications， Solar Energy Materials and Solar Cells，2013，通讯作者
（11） InZnO薄膜晶体管稳定性研究，Anomalous bias-stress-induced unstable phenomena of InZnO thin-film transistors using Ta2O5 gate dielectric，Journal of Physics D: Applied Physics，2012，通讯作者
（12） SnOx薄膜性能演化规律研究，Structural, chemical, optical, and electrical evolution of SnOx films deposited by reactive rf magnetron sputtering，ACS Applied Materials and Interfaces，2012，通讯作者
（13） Y掺杂SnO的P型薄膜晶体管研究，The structural, optical and electrical properties of Y-doped SnO thin films and their p-type TFT applications，Journal of Physics D: Applied Physics，2012，通讯作者
（14） Ta2O5 介电薄膜物性研究，Influence of the substrate bias voltage on the physical properties of DC reactive sputtered Ta2O5 films，Journal of Alloys and Compounds，2012，通讯作者
（15） SnO 双极性薄膜晶体管，Ambipolar inverters using SnO thin-flim transistors with balanced electron and hole mobilities，Applied Physics Letters，2012，通讯作者
（16） 直流脉冲反应溅射制备的N掺杂的氧化物薄膜的电致变色性能，Electrochromic properties of N-doped Tungsten oxide thin films prepared by reactive DC-pulsed sputtering，Thin Solid Films，2011，第3作者
（17） Y2O3/Al2O3双层介电薄膜的应用对a-IZO薄膜晶体管的性能的提高，Enhancement of a-IZO TTFT performance by using Y2O3/Al2O3 bilayer dielectrics，Electrochemical and Solid-State Letters，2011，通讯作者
（18） 磁控溅射制备的YON薄膜的结构、电学性能及其薄膜晶体管应用，Structural and electrical characteristics of RF sputtered YON gate dielectrics and their thin-film transistor applications，Journal of Physics D: Applied Physics，2011，通讯作者
（19） 溅射气压和金属后退火对Y2O3薄膜物性的影响，Effects of sputtering pressure and post-metallization annealing on the physical properties of rf-sputtered Y2O3 films，Journal of Alloys and Compounds，2011，通讯作者
（20） Fe元素注入的BaTiO3薄膜的磁性、铁电性以及电磁耦合特性，Magnetic, ferroelectric and magentoelectric coupling properties of Fe-implanted BaTiO3 films，Thin Solid Films，2011，第5作者
（21） 退火处理的SNO薄膜的相结构、光学性能及其P型薄膜晶体管的应用，Phase and optical characterization of annealed SnO thin films and their p-type TFT application，Journal of The Electrochemical Society，2010，通讯作者
（22） SNO薄膜表面Al2O3 盖层应用对相结构稳定性和光学常数的影响，Improvement of Phase Stability and Accurate Determination of Optical Constants of SnO Thin Films by using Al2O3 Capping layer，ACS Applied Materials and Interfaces ，2010，通讯作者
（23） In-Zn-O 沟道半导体薄膜厚度对薄膜晶体管性能的影响，Influence of the channel layer thickness on electrical properties of indium zinc oxide thin-film transistor，Microelectronic Engineering，2010，通讯作者
（24） 化学浴沉积法制备的氧化锌纳米棒微米棒的竞争生长，The competition growth of ZnO microrods and nanorods in Chemical Bath Deposition process，Materials Research Bulletin，2010，通讯作者
（25） 脉冲反应溅射法制备的氧化钨薄膜致密度对电致变色性能的影响，Effect of film density on electrochromic tungsten oxide thin films deposited by reactive dc-pulsed magnetron sputtering，Journal of Alloys and Compounds ，2010，第3作者
（26） 基于Y2O3/In2O3的低界面态、高性能全透明薄膜晶体管，High-performance transparent thin-film transitor based on Y2O3/In2O3 with low interface traps，Applied Physics Letters，2010，通讯作者
（27） In2O3沟道半导体的致密化和表面型模对提高晶体管电学性能的影响，Enhancement of electrical performance in In2O3 thin-film transistors by improving the densification and surface morphology of channel layers，Solid-state Electronics，2010，通讯作者
（28） 两步法制备的SNO薄膜的微观结构、光学和电学性能研究，Microstructure, optical, and electrical properties of SnO thin films prepared on quartz via a two step method，ACS Applied Materials and Interfaces，2010，通讯作者
（29） 水热法制备氧化锌纳米棒和薄膜的取向，Controlled c-oriented ZnO nanorod arrays and m-plane ZnO thin film growth on Si substrate by a hydrothermal method，Journal of Crystal Growth，2010，通讯作者
（30） 溶胶凝胶法制备的MoO3-WO3 薄膜的光学和电致变色性能研究，Optical and electrochromic properties of sol-gel deposited mixed MoO3-WO3 thin films，Advanced Materials Research ，2009，第4作者
（31） 退火温度对溶胶凝胶法制备的氧化钨薄膜的微观结构和光学性能的影响，Influence of annealing temperature on microstructure and optical properties of sol-gel derived tungsten oxide films，Applied Surface Science，2009，第2作者
（32） V, Cr, Ti掺杂的In2O3薄膜的室温铁磁性能，Room temperature ferromagnetism in TM (V, Cr, Ti) doped In2O3，Journal of Applied Physics，2007，第2作者
（33） ZnO: (Al, Mn)透明导电薄膜的制备和表征，Preparation and characterization of Al and Mn doped ZnO (ZnO: (Al, Mn)) transparent conducting oxide films，Journal of Solid State Chemistry，2004，第1作者
（34） ZnO: Al透明导电薄膜的性能及其在OLED中的应用，Properties of transparent conducting ZnO: Al (ZAO) oxide thin films and its application for molecular organic light-emitting diodes (OLEDs)，Journal of Materials Science: Materials in Electronics，2004，第1作者
（35） 直流反应磁控溅射法制备的Al 和 Mn 掺杂的ZnO透明导电薄膜，Transparent conductive Al and Mn doped ZnO thin films prepared by DC reactive magnetron sputtering，Surface and Coatings Technology，2004，第1作者
发表著作
（1） 石墨烯研究最新进展，New progress on Graphene Research ，Intech，2013-03，第2作者
科研活动
科研项目
（1） 平板集热高效热利用技术的关键—高品质氮氧化钛太阳能吸收膜的规模化制备技术，主持，省级，2015-06--2018-06
（2） 底栅结构InGaZnO薄膜晶体管的背沟道表面修饰、电荷转移及新耦合电学特性研究，主持，国家级，2015-01--2018-12
（3） 电致变色器件在终端电子产品上的应用开发，主持，其他级，2013-07--2014-12
（4） SnO双极性薄膜晶体管和反相器的载流子注入机理研究，主持，国家级，2013-01--2016-12
（5） 基于扫描探针技术的纳米表征新方法研究，参与，国家级，2012-01--2016-12
（6） 面向平板式太阳能热水器应用的高效氮氧化钛集热板芯设计与制备，参与，省级，2011-07--2013-07
（7） LED新技术研发，参与，省级，2011-06--2014-06
（8） 高效氮氧化钛集热板芯的绒面陷光结构设计与制备，参与，研究所（学校）级，2011-03--2012-03
（9） Y掺杂SnO薄膜及其p型沟道薄膜晶体管研究，主持，国家级，2011-01--2011-12
（10） 宁波市科技，参与，市地级，2010-01--2015-12
（11） 宽禁带氧化物半导体纳米线的原位掺杂及其器件应用，参与，省级，2009-01--2011-12
（12） 微纳透明晶体管和存储器，参与，院级级，2009-01--2011-12
（13） 功能氧化物材料和应用创新团队，参与，院级级，2009-01--2011-12
（14） Metal/AlOx/In-Zn-O MIS电容器研制，主持，省级，2009-01--2010-12
（15） WO3基电致变色材料的制备及器件的研发，参与，省级，2008-03--2010-04
（16） ZnO材料中与缺陷相关的紫外发光中心的研究，主持，市地级，2008-02--2010-02
（17） 宽禁带半导体氧化物薄膜及功能器件，主持，研究所（学校）级，2007-06--2010-05
（2） 底栅结构InGaZnO薄膜晶体管的背沟道表面修饰、电荷转移及新耦合电学特性研究，主持，国家级，2015-01--2018-12
（3） 电致变色器件在终端电子产品上的应用开发，主持，其他级，2013-07--2014-12
（4） SnO双极性薄膜晶体管和反相器的载流子注入机理研究，主持，国家级，2013-01--2016-12
（5） 基于扫描探针技术的纳米表征新方法研究，参与，国家级，2012-01--2016-12
（6） 面向平板式太阳能热水器应用的高效氮氧化钛集热板芯设计与制备，参与，省级，2011-07--2013-07
（7） LED新技术研发，参与，省级，2011-06--2014-06
（8） 高效氮氧化钛集热板芯的绒面陷光结构设计与制备，参与，研究所（学校）级，2011-03--2012-03
（9） Y掺杂SnO薄膜及其p型沟道薄膜晶体管研究，主持，国家级，2011-01--2011-12
（10） 宁波市科技，参与，市地级，2010-01--2015-12
（11） 宽禁带氧化物半导体纳米线的原位掺杂及其器件应用，参与，省级，2009-01--2011-12
（12） 微纳透明晶体管和存储器，参与，院级级，2009-01--2011-12
（13） 功能氧化物材料和应用创新团队，参与，院级级，2009-01--2011-12
（14） Metal/AlOx/In-Zn-O MIS电容器研制，主持，省级，2009-01--2010-12
（15） WO3基电致变色材料的制备及器件的研发，参与，省级，2008-03--2010-04
（16） ZnO材料中与缺陷相关的紫外发光中心的研究，主持，市地级，2008-02--2010-02
（17） 宽禁带半导体氧化物薄膜及功能器件，主持，研究所（学校）级，2007-06--2010-05
参与会议
（1） Ambipolar SnO thin-film transistors and inverters，第222届PRiME 2012会议，2012-10，梁凌燕，曹鸿涛
（2） 基于n型和p型氧化物半导体的薄膜晶体管，第三届功能氧化物材料与应用研讨会，2011-01，梁凌燕，张海忠，刘志敏，陈爱华
（3） High-performance transparent thin-film transitor based on Y2O3/In2O3 with low interface traps，2010-08，张海忠
（4） The fabrication and characterization of ZnO-based thin film transistors，第四届全国氧化锌学术会议，2009-08，刘志敏
（2） 基于n型和p型氧化物半导体的薄膜晶体管，第三届功能氧化物材料与应用研讨会，2011-01，梁凌燕，张海忠，刘志敏，陈爱华
（3） High-performance transparent thin-film transitor based on Y2O3/In2O3 with low interface traps，2010-08，张海忠
（4） The fabrication and characterization of ZnO-based thin film transistors，第四届全国氧化锌学术会议，2009-08，刘志敏
合作情况
合作单位：
1. Rutgers university
2. 中科院物理研究所
3. 南京大学
4. 南京理工大学
5. 华南理工大学
6. 上海大学
7. 苏州大学
8. University of Michigan
1. Rutgers university
2. 中科院物理研究所
3. 南京大学
4. 南京理工大学
5. 华南理工大学
6. 上海大学
7. 苏州大学
8. University of Michigan
