2019年中科大929半导体物理考研真题及答案解析
作者：科大科院考研网 发表时间：2019-09-04 来源：研招办
中国科学技术大学
2019年硕士研究生招生考试试题
（929半导体物理）
□需使用计算器 √不使用计算器
一、填空题（共40分）
2、硅中镓杂质能级位置（ ），砷杂质能级位置（ ）。
A、导带底 B、价带顶 C、禁带中间 D、不确定
3、P型中等掺杂的半导体，费米能级位置（ ）。
A、禁带中央以上 B、近代中央以下 C、禁带中央 D、不确定
4、哪项不能说明半导体处于平衡态（ ）。
A、载流子浓度乘积与本征浓度平方相等
B、电子系统与空穴系统准费米能级相等
C、半导体有统一的费米能级
D、电子与空穴浓度保持不变
5、P型半导体的霍尔系数随度（ ）。
A、从正到负 B、从负到正 C、始终为负 D、始终为正
6、砷化镓的载流子平均漂移速度（ ）。
A、一直增加直至饱和 B、一直减小直至饱和
C、先增加后减小直至饱和 D、不变
完整版：中科大929半导体物理
